比利時，蒙-圣吉貝爾，2015年6月3日——高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID公司宣布推出高溫電源模塊CHT-PLUTO，它可在-55～225℃的范圍內(nèi)實現(xiàn)可靠的運(yùn)行，并輸出高達(dá)60A的電流。CHT-PLUTO是一種雙碳化硅 MOSFET 模塊，主要應(yīng)用于在低端和高端均可持續(xù)供應(yīng) 30 A 電流的半橋。低端和高端的兩個獨(dú)立開關(guān)可并聯(lián)使用，輸出總電流為 60 A，擊穿電壓超過 1200 V，當(dāng) VGS=20 V 時，導(dǎo)通電阻在 25℃和 225℃的溫度下分別低至 23 mΩ 和 50 mΩ。
由于碳化硅晶體管的開關(guān)損耗較低，故而可實現(xiàn)較高的工作頻率。CHT-PLUTO還可嵌入正向電壓Vf較低的續(xù)流肖特基二極管，它可以在死區(qū)時間降低功耗。每個開關(guān)均可采用 -5/+20 V的標(biāo)準(zhǔn)柵電壓進(jìn)行控制。
CHT-PLUTO采用密封的8引腳專用“H8MA”金屬封裝，其尺寸規(guī)格為 18mm x 29mm （不包括安裝耳）。器件與封裝外殼之間采用電氣隔離。該模塊的特點(diǎn)是每個 30 A 通道的結(jié)面至外殼熱阻都低至 0.7℃/W。另外，兩個附加的源連接器則可輕松地將模塊牢牢連接到柵極驅(qū)動器。
CHT-PLUTO適合為功率轉(zhuǎn)換器、逆變器或電機(jī)驅(qū)動器等應(yīng)用構(gòu)建半橋。當(dāng)將兩個開關(guān)并聯(lián)時，CHT-PLUTO的輸出電流可達(dá)60 A，同時熱阻 (Rth) 低至 0.35℃/W。還可將幾個模塊并聯(lián)，以獲得更高的輸出電流。
CISSOID公司最近已發(fā)布的高溫柵極驅(qū)動器HADES®v2是驅(qū)動CHT-PLUTO 的理想器件。HADES®v2 的峰值電流和 dV/dT 耐用性均較高，因此可實現(xiàn)快速切換，降低模塊功耗。借助這些優(yōu)化功能，電源設(shè)計人員可以提高工作頻率，為無源元件（輸入/輸出濾波器、去耦電容器）選擇下限值，從而在這些高成本的元件上節(jié)約大量成本，并減小系統(tǒng)的體積和重量。CHT-PLUTO 與 HADES®v2 的結(jié)合打開了使用結(jié)構(gòu)緊湊的、高度集成的功率轉(zhuǎn)換器/電機(jī)驅(qū)動器的大門，這些功率轉(zhuǎn)換器/電機(jī)驅(qū)動器的額定功率從幾千瓦到幾十千瓦不等，在高達(dá) 225℃的溫度下也可實現(xiàn)可靠運(yùn)行。
CISSOID公司的首席技術(shù)官PierreDelatte表示： “CHT-PLUTO 是我們?yōu)楦邷?高壓電源開關(guān)推出的第二款產(chǎn)品。繼 2013 年推出 10A/1200V 單極開關(guān) CHT-NEPTUNE 之后，CHT-PLUTO 又為我們帶來了額定電流更高且同樣支持極端環(huán)境（從-55℃到225℃）的半橋模塊。經(jīng)過大量的研發(fā)努力，現(xiàn)在，我們可以自豪地推出這款能夠戰(zhàn)勝高溫挑戰(zhàn)，實現(xiàn)可靠運(yùn)行的 CHT-PLUTO 產(chǎn)品。CHT-PLUTO 真正滿足了系統(tǒng)設(shè)計師對 CISSOID 產(chǎn)品的期望：讓 CISSOID 做到言行如一。該模塊在不降低原有解決方案耐用性的條件下，為高溫大功率應(yīng)用帶來了新的可能�！�
