據(jù)businessKorea報(bào)道，三星電子已開始批量生產(chǎn)基于極紫外（EUV）技術(shù)的6納米芯片。
三星于去年4月向全球客戶提供7納米產(chǎn)品，自開始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來(lái)，三星僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短，特別是向6納米EUV工藝的過(guò)渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電（TSMC）的差距。
據(jù)介紹，三星電子去年12月在京畿道華城校區(qū)S3線開始批量生產(chǎn)基于EUV技術(shù)的6納米芯片。三星合作伙伴公司的一位官員說(shuō)：“據(jù)我所知，6納米產(chǎn)品已經(jīng)交付給北美的大型企業(yè)客戶�！毙袠I(yè)專家認(rèn)為，三星的6納米產(chǎn)品將提供給高通公司。
三星希望通過(guò)開始批量生產(chǎn)6納米產(chǎn)品給臺(tái)積電施加壓力。全球市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，去年第四季度，臺(tái)積電的市場(chǎng)份額占全球晶圓代工市場(chǎng)的52.7％，與三星的差距擴(kuò)大到17.8％。
三星未能趕超臺(tái)積電的主要原因是三星在16納米和12納米工藝之后開發(fā)7納米工藝的時(shí)間很晚。臺(tái)積電通過(guò)其7納米技術(shù)，壟斷了蘋果（最大的無(wú)晶圓廠客戶）的AP供應(yīng)。
此前，三星電子在2014年首次將14納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）工藝商業(yè)化，但在7納米工藝開發(fā)中卻失去了領(lǐng)先臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)。目前，7納米產(chǎn)品在三星銷售中所占的份額很小。為了克服這個(gè)問(wèn)題，三星正在加緊努力以縮短 7nm以下微加工工藝的開發(fā)周期。
繼大量生產(chǎn)6納米產(chǎn)品之后，三星電子計(jì)劃在今年上半年推出5納米產(chǎn)品。此外，三星電子有在今年上半年采用正在研發(fā)中的最新3納米全柵極（GAA）工藝技術(shù)來(lái)制造尖端芯片的計(jì)劃。GAA被認(rèn)為是當(dāng)前FinFET技術(shù)的升級(jí)版，能確保芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片體積。
