10月8日消息，據(jù)德媒computerbase消息，三星在SamsungFoundryForum2022活動(dòng)中介紹了其內(nèi)存路線(xiàn)圖。
如上圖所示，在即將到來(lái)的2023年，三星將進(jìn)入1bnm工藝階段，內(nèi)存芯片容量將達(dá)到24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbps。顯存方面，新一代 GDDR7顯存將在明年問(wèn)世，因此AMD和英偉達(dá)顯卡的新一代顯卡的中期改款就有可能會(huì)用上GDDR7顯存。
此外，三星還進(jìn)行了一些長(zhǎng)遠(yuǎn)的設(shè)想，如2026年推出DDR6內(nèi)存，2027年即實(shí)現(xiàn)原生10Gbps的速度。
三星也公布了其閃存的路線(xiàn)圖，預(yù)計(jì)將在2024年推出V9NAND芯片。
IT之家曾報(bào)道，三星在此前的 TechDay2022活動(dòng)中指出，其第九代V-NAND正在開(kāi)發(fā)中，計(jì)劃于2024年量產(chǎn)。到2030年，三星設(shè)想NAND堆疊超過(guò)1，000層，以更好地支持未來(lái)的數(shù)據(jù)密集型技術(shù)。三星還宣布，全球最高容量的1TbTLCV-NAND將于今年年底向客戶(hù)提供。
