臺積電正加速邁向 2nm。根據(jù) MoneyDJ 報道,位于新竹寶山的臺積電工廠預(yù)計于 2024 年第 2 季度開始安裝設(shè)備,預(yù)計 2025 年第 4 季度量產(chǎn),初期月產(chǎn)量約 3 萬片晶圓。
臺積電的高雄工廠目前也正在積極“備戰(zhàn)”,預(yù)估將會在 N2 工藝登場 1 年后,采用背面供電技術(shù),量產(chǎn) N2P(2nm 加強版)工藝。
據(jù)此前報道,臺積電此前透露信息,在 N2 工藝上擴展背面電源軌(backside power rail)解決方案,減少紅外衰減和改善信號,性能可以提高 10% 至 12%,并讓邏輯面積減少 10% 至 15%。
臺積電計劃 2025 年下半年向客戶交付背面電源軌樣品,并與 2026 年量產(chǎn)。
三星此前公布的半導體規(guī)劃,2025 年大規(guī)模量產(chǎn) 2nm,2027 年量產(chǎn) 1.4nm;而英特爾方面,預(yù)估 2024 年上半年量產(chǎn) l 采用 Gate All Around(GAA)技術(shù) RibbonFET 電晶體架構(gòu)的 20A,2025 年量產(chǎn) 18A。