韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。
注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結(jié)構(gòu)（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導體，能更好地保持穩(wěn)定電壓以應對電流變化。
硅電容具有許多優(yōu)點，讓其成為集成電路中常用的元件之一：
首先，硅電容的制造成本較低，可以通過批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)。
其次，硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低。
此外，硅電容的尺寸小，占據(jù)空間少，適合集成電路的微型化和高密度集成。
報道指出三星電機（Samsung Electro-Mechanics）已開發(fā)出用于量產(chǎn) Exynos 2500 芯片的測試設備，該芯片的前期量產(chǎn)工作已經(jīng)就緒，即將開始量產(chǎn)。
三星計劃在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+（有相關線索表明會被砍掉，目前無法確認）兩款手機上使用 Exynos 2500 芯片。
據(jù)此前報道，三星 Exynos 2500 最近取得了突破性進展，至少目前流片的工程樣品已經(jīng)達到了 3.20GHz 高頻，同時比蘋果 A15 Bionic 更省電，將成為“迄今為止效率最高的芯片”。
