去年末,ASML向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。新設(shè)備的體積非常巨大,需要使用13個(gè)集裝箱和250個(gè)板條箱來進(jìn)行運(yùn)輸,將從荷蘭的費(fèi)爾德霍芬運(yùn)送到美國(guó)俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)基地,另外還需要250名工程師并花費(fèi)6個(gè)月完成安裝。
據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道,ASML透露其一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元,是現(xiàn)有EUV光刻機(jī)(約1.83億美元)的兩倍多。目前ASML已從英特爾和SK海力士等公司獲得了High-NA EUV光刻機(jī)的訂單,數(shù)量在10至20臺(tái)之間。與此同時(shí),ASML計(jì)劃到2028年,每年生產(chǎn)20臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī),以滿足市場(chǎng)的需求。
High-NA EUV光刻機(jī)是具有高數(shù)值孔徑和每小時(shí)生產(chǎn)超過200片晶圓的極紫外光大批量生產(chǎn)系統(tǒng),用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55數(shù)值孔徑,與此前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)相比,精度會(huì)有所提高,可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化,以實(shí)現(xiàn)更小的晶體管特征。
由于新一代光刻設(shè)備與舊款產(chǎn)品之間有許多不同之處,需要進(jìn)行大量的基礎(chǔ)設(shè)施改造。英特爾打算在Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)引入High-NA EUV光刻技術(shù),這意味著大概在2026年至2027年之間開始啟用新設(shè)備。臺(tái)積電(TSMC)要等到1nm級(jí)的A10工藝才會(huì)使用High-NA EUV光刻機(jī),可能是出于對(duì)成本的考慮,也就是說要等到2030年左右。