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TechInsights:突破性技術(shù) 臺(tái)積電最先進(jìn)的嵌入式RRAM芯片(22ULL eRRAM)來了

2024年5月20日 16:49  智通財(cái)經(jīng)APP  

TechInsights發(fā)文稱,發(fā)現(xiàn)了臺(tái)積電22ULL嵌入式RRAM(阻電存儲(chǔ)器)芯片,低功耗無線物聯(lián)網(wǎng)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者Nordic Semiconductor推出的突破性nRF54L SoC器件采用了臺(tái)積電的22ULL嵌入式RRAM (eRRAM)。

TechInsights拆解了Fanstel EV- BM 15 EV Kit,找到了Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15器件。自2019年以來,臺(tái)積電提供了40納米R(shí)RAM平臺(tái),現(xiàn)在的22納米R(shí)RAM是臺(tái)積電的第二代eRRAM。這是業(yè)界首個(gè)擁有最先進(jìn)的22納米CMOS技術(shù)的RRAM,可與嵌入式STT-MRAM相媲美。

eRRAM內(nèi)存塊密度為17.5 bit/ µm2,位線方向的RRAM層寬度為170 納米。RRAM存儲(chǔ)層放置在metal 3上。ReRAM使用電阻作為開關(guān)的基礎(chǔ)。與STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新興存儲(chǔ)器件一起,ReRAM是取代嵌入式閃存(eFlash)的主要競爭者之一。ReRAM不受輻射的影響,具有很高的電磁耐受性,并且沒有泄漏問題,因?yàn)樗皇腔陔姾傻钠骷?/P>

ReRAM (RRAM)產(chǎn)品和技術(shù)路線圖顯示臺(tái)積電22ULL ReRAM

編 輯:章芳
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